公开/公告号CN102566261B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-09-22
原文格式PDF
申请/专利权人 罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司;
申请/专利号CN201110462290.8
申请日2011-09-30
分类号
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人樊云飞
地址 美国马萨诸塞州
入库时间 2022-08-23 10:00:33
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-09-22
授权
授权
2012-09-12
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/00 申请日:20110930
实质审查的生效
2012-09-12
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/00 申请日:20110930
实质审查的生效
2012-07-11
公开
公开
2012-07-11
公开
公开
机译: 聚合物,组合物,制备聚合物的方法,组合物,成膜组合物,抗蚀剂组合物,辐射敏感组合物,用于形成光刻底层薄膜的组合物,形成抗蚀剂图案的方法,用于光刻制造底层膜的方法,形成电路的方法 形成光学构件的图案和组合物
机译: 化合物,其制造方法,组成,光学部件形成用组合物,光刻用膜形成用组合物,抗蚀剂组合物,抗蚀剂图案形成方法,放射线敏感性组合物,非晶膜的制造方法,光刻用下层,成膜材料,形成用组合物用于光刻的底层膜,用于光刻的底层膜的制造方法,抗蚀剂图案形成方法,电路图案形成方法和纯化方法
机译: 用于制备抗蚀剂底层膜的新型聚合物,含有聚合物的聚合物和方法的底层膜组合物使用该组合物形成抗蚀剂底层薄膜