含镍金属基底上直接生长碳纳米管场发射阴极的方法

摘要

本发明公开了一种含镍金属基底上直接生长碳纳米管场发射阴极的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）对含镍金属基底进行化学、超声清洗；（2）对含镍金属基底进行阳极化处理，（3）在 含镍金属基底直接进行碳纳米管的化学气相反应生长。本发明CNT可达到与基底自然融合，且结合牢固。在本发明的工艺条件下，CNT从金属体内长出，与基底的结合性能增强，机械性能得到改进。实验证实，经该方法制备的碳纳米管场发射阴极的场发射性能有显著提高。