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硅磊晶晶圆及硅磊晶晶圆的制造方法

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摘要

本发明是一种硅磊晶晶圆及其制造方法，该硅磊晶晶圆在对如下单晶硅棒进行切割而制造的硅基板(10)上，具有第二中间磊晶层(22)和掺杂有掺杂剂的第一中间磊晶层(21)，在该第一中间磊晶层(21)上层叠有作为组件形成区域的磊晶层(30)，该单晶硅棒是通过CZ法而培育成的碳浓度为3×10

1. 硅磊晶晶圆及硅磊晶晶圆的制造方法 [P] . 中国专利： CN105164790B . 2017.08.15
2. 磊晶晶圆、制造磊晶晶圆的方法和分离基板的方法 [P] . 中国专利： CN103872201B . 2018.06.26
3. MANUFACTURE OF SILICON EPITAXIAL WAFER, AND SILICON EPITAXIAL WAFER [P] . 日本专利： JPH0897220A . 1996-04-12

机译：硅表晶晶圆的制造以及硅表晶晶圆的制造
4. SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER PRODUCTION METHOD, SILICON EPITAXIAL WAFER PRODUCTION METHOD, SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER, AND SILICON EPITAXIAL WAFER [P] . 世界知识产权组织专利： WO2018037755A1 . 2018-03-01

机译：硅单晶晶片的制造方法，硅表晶晶片的制造方法，硅单晶晶片和硅表晶晶片
5. METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON EPITAXIAL WAFER, SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER AND SILICON EPITAXIAL WAFER [P] . 日本专利： JP2018030765A . 2018-03-01

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