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用于EUV掩模版的表膜和多层反射镜

摘要

本发明公开了一种用于EUV掩模版的表膜、多层反射镜和光刻设备,该光刻设备包括:辐射源,配置成产生辐射束;和支撑件,配置成支撑图案形成装置。所述图案形成装置配置成将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束。腔定位在辐射源和图案形成装置之间。所述腔包含配置成反射辐射束的至少一个光学部件,所述腔配置成允许来自辐射源的辐射通过其中。隔膜(44)配置成允许辐射束通过并阻止污染物颗粒(54)通过隔膜的管道。颗粒捕获结构(52)配置成允许气体沿间接路径从腔内部流至腔外部。间接路径配置成基本上阻止污染物颗粒(58)从腔内部到达腔外部。

著录项

  • 公开/公告号CN103901737B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-08-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ASML荷兰有限公司;

    申请/专利号CN201410077948.7

  • 申请日2011-03-17

  • 分类号G03F7/20(20060101);G03F1/24(20120101);G03F1/62(20120101);G02B5/08(20060101);B82Y10/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人张启程

  • 地址 荷兰维德霍温

  • 入库时间 2022-08-23 09:59:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-08-25

    授权

    授权

  • 2014-07-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20110317

    实质审查的生效

  • 2014-07-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20110317

    实质审查的生效

  • 2014-07-02

    公开

    公开

  • 2014-07-02

    公开

    公开

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