首页> 中国专利> 多晶台、多晶元件和相关方法

多晶台、多晶元件和相关方法

摘要

多晶元件,包括基底和附接到基底端部的多晶台。多晶台包括具有第一渗透率的超级磨料材料的第一区域和具有第二更低渗透率的超级磨料材料的至少第二区域,该至少第二区域介于基底和第一区域之间。形成多晶元件的方法,包括将多晶台附接到基底端部,该多晶台包括具有第一渗透率的超级磨料材料的第一区域和具有第二更低渗透率的超级磨料材料的至少第二区域,该至少第二区域介于第一区域和基底之间。从多晶台的至少第一区域除去催化剂材料。

著录项

  • 公开/公告号CN103477018B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-08-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 贝克休斯公司;

    申请/专利号CN201280018105.9

  • 申请日2012-02-29

  • 分类号

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人柳冀

  • 地址 美国得克萨斯

  • 入库时间 2022-08-23 09:59:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-08-01

    授权

    授权

  • 2014-04-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):E21B 10/46 申请日:20120229

    实质审查的生效

  • 2014-04-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):E21B 10/46 申请日:20120229

    实质审查的生效

  • 2013-12-25

    公开

    公开

  • 2013-12-25

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号