一种具有平面型发射阴极的纳米真空三极管及其制作方法

摘要

本发明提出了一种具有平面型发射阴极的纳米真空三极管及制作方法。所述方法包括：衬底；背电极，其制作在衬底的背面；平面冷阴极，其制作在衬底的正面；第一绝缘层，其制作在平面冷阴极上；栅层，其制作在第一绝缘层上；第二绝缘层，其制作在氧化铟锡薄膜栅层上；圆柱型小孔，其贯穿第一绝缘层、栅层和第二绝缘层而形成；栅层台阶，其是通过刻蚀第二绝缘层到栅层形成的；阳极层，其制作在第二绝缘层上；其中，所述第一绝缘层、氧化铟锡薄膜栅层、第二绝缘层的总厚度在10‑100纳米之间。本发明克服了尖端结构电子发射密度不均匀、尖端容易损坏的缺陷，同时氮化铝材料所具有的负电子亲和势特性又弥补了平面型阴极需要更高阈值电场强度的不足。