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紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法

摘要

本发明涉及一种紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法,其特征在于采用结构紧凑的T型波导分支器取代传统的马赫曾德干涉结构中所采用的Y型波导分支器,极大地缩小了器件结构的长度,克服了传统器件结构长度长、制作困难的缺点。本结构通过应用大角度、小尺寸、低损耗的全反射型弯曲波导实现了传输光的分束、合束以及传输方向的改变。全反射型弯曲波导的全反射镜凹槽可以利用各向异性湿法腐蚀或反应离子刻蚀等技术获得,而且传输光在每个全反射镜镜面的入射角度均大于全反射角;此外,通过全反射镜连接的相邻传输波导的轴线相互垂直。本器件结构可以以硅、绝缘层上的硅(SOI)、GeSi/Si、AlGaAs、GaAs、GaAs/AlGaAs、InP/InGaAsP等材料为基材料。

著录项

  • 公开/公告号CN1252501C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-04-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200310108863.2

  • 申请日2003-11-26

  • 分类号G02B6/26(20060101);G03F7/20(20060101);

  • 代理机构31002 上海智信专利代理有限公司;

  • 代理人潘振甦

  • 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-02-02

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G02B 6/26 授权公告日:20060419 终止日期:20091228 申请日:20031126

    专利权的终止

  • 2006-04-19

    授权

    授权

  • 2005-01-12

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-11-10

    公开

    公开

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