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氧化硅玻璃坩埚的三维形状测量方法、单晶硅的制造方法

摘要

本发明提供不污染坩埚的内表面而使坩埚的内表面的三维形状的测量成为可能的氧化硅玻璃坩埚的三维形状测量方法。根据本发明,提供氧化硅玻璃坩埚的三维形状测量方法,该方法具备:使氧化硅玻璃坩埚的内表面产生雾的工序;以及通过对所述内表面照射光,并检测其反射光,来测量所述内表面的三维形状的工序。

著录项

  • 公开/公告号CN104114976B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-08-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社SUMCO;

    申请/专利号CN201280064551.3

  • 发明设计人 须藤俊明;佐藤忠广;北原贤;

    申请日2012-10-31

  • 分类号G01B11/24(20060101);C03B20/00(20060101);C30B15/10(20060101);C30B29/06(20060101);

  • 代理机构11551 北京华创博为知识产权代理有限公司;

  • 代理人李伟波;管莹

  • 地址 日本秋田县秋田市茨岛5-14-3

  • 入库时间 2022-08-23 09:58:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-08-04

    授权

    授权

  • 2014-11-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01B 11/24 申请日:20121031

    实质审查的生效

  • 2014-11-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01B 11/24 申请日:20121031

    实质审查的生效

  • 2014-10-22

    公开

    公开

  • 2014-10-22

    公开

    公开

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