公开/公告号CN104112696B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-07-14
原文格式PDF
申请/专利权人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
申请/专利号CN201310136082.8
发明设计人 孙丰达;
申请日2013-04-18
分类号
代理机构上海光华专利事务所;
代理人余明伟
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
入库时间 2022-08-23 09:58:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-07-14
授权
授权
2014-11-26
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20130418
实质审查的生效
2014-11-26
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20130418
实质审查的生效
2014-10-22
公开
公开
2014-10-22
公开
公开
机译: 通过将氮化物硬掩模用于局部反刻蚀和CMP解决CMP平坦化中的凹陷问题的方法
机译: 用于铜和硅通孔(TSV)应用的化学机械扁平化(CMP)成分和方法
机译: 因此,化学机械平面化(CMP)成分和方法适用于铜和直通硅通孔(TSV)应用