铁电薄膜形成用组合物、铁电薄膜及其形成法和复合电子组件

摘要

本发明提供一种铁电薄膜形成用组合物及该薄膜的形成方法、通过该方法形成的薄膜以及复合电子组件。本发明中，即使在用于形成铁电薄膜的组合物中不掺杂Ce，且用于形成膜厚较厚的铁电薄膜的组合物不含有硝酸铅而含有乙酸铅，也不会在铁电薄膜上产生龟裂。通过铁电薄膜形成用组合物形成包含钛酸铅系钙钛矿膜或锆钛酸铅系复合钙钛矿膜的铁电薄膜。上述组合物包含乙酸铅、由乳酸构成的稳定剂以及聚乙烯吡咯烷酮。并且单体换算的聚乙烯吡咯烷酮相对于组合物中所含的钙钛矿A位原子的摩尔比大于0小于0.015。此外，聚乙烯吡咯烷酮的重均分子量为5000以上100000以下。