首页> 中国专利> 一种X波段缺陷地结构‑半模基片集成波导滤波器

一种X波段缺陷地结构‑半模基片集成波导滤波器

摘要

本发明涉及一种X波段缺陷地结构‑半模基片集成波导滤波器,该滤波器包括:介质基片以及设置于介质基片上的金属贴片,其中,介质基片上设置有多个通孔,金属贴片包括位置相对的输入端口微带线、输出端口微带线、以及分别通过微带‑半模基片集成波导过渡金属线与输入端口微带线和输出端口微带线连接的半模基片集成波导,且半模基片集成波导具有多个单个缺陷地结构单元及嵌套缺陷地结构单元以及与介质基片的通孔相通的孔。本发明的有益效果为:通过在半模基片集成波导上形成缺陷地结构来作为基本单元,多级单元级联成X波段缺陷地结构‑半模基片集成波导滤波器。具有结构紧凑,易于大规模生产,成品率高,性能稳定且易于系统集成的特点。

著录项

  • 公开/公告号CN104466316B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-07-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京东方安高微电子科技有限公司;

    申请/专利号CN201310547844.3

  • 发明设计人 宋明清;

    申请日2013-11-08

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 101400 北京市怀柔区北房镇福顺街3号3幢

  • 入库时间 2022-08-23 09:58:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-07-21

    授权

    授权

  • 2015-04-22

    著录事项变更 IPC(主分类):H01P 1/203 变更前: 变更后: 申请日:20131108

    著录事项变更

  • 2015-04-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01P 1/203 申请日:20131108

    实质审查的生效

  • 2015-04-22

    著录事项变更 IPC(主分类):H01P 1/203 变更前: 变更后: 申请日:20131108

    著录事项变更

  • 2015-04-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01P 1/203 申请日:20131108

    实质审查的生效

  • 2015-03-25

    公开

    公开

  • 2015-03-25

    公开

    公开

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