公开/公告号CN104568862B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-07-18
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
申请/专利号CN201310514025.9
申请日2013-10-25
分类号G01N21/64(20060101);G01R19/00(20060101);G01N23/225(20060101);
代理机构31218 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙);
代理人翟羽
地址 215125 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
入库时间 2022-08-23 09:58:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-07-18
授权
授权
2015-05-27
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 21/64 申请日:20131025
实质审查的生效
2015-05-27
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 21/64 申请日:20131025
实质审查的生效
2015-04-29
公开
公开
2015-04-29
公开
公开
机译: 利用薄膜生长过程中掠入射电子束诱导的X射线荧光原位测定薄膜和多层结构及化学成分
机译: 利用薄膜生长过程中掠入射电子束诱导的X射线荧光原位测定薄膜和多层结构及化学成分
机译: 用于电子束弯曲的发光屏,其中优选在面对阴极的一侧上覆盖有金属氧化物涂层的荧光粉层及其制造方法