通过热处理和/或溶剂处理恢复多孔电介质k值

摘要

本发明涉及通过热处理和/或溶剂处理恢复多孔电介质k值，具体提供一种用于在多孔低k电介质层下的衬底上形成半导体设备的方法，其中，将特征形成在所述多孔低k电介质层中，且其中，使障碍层形成在所述多孔低k电介质层上。在特征中形成触点。将障碍层平面化。在触点上形成盖层，其中，形成所述盖层在所述多孔低k电介质层中提供金属和有机污染物。用第一湿法工艺从多孔低k电介质层去除金属污染物。用第二湿法工艺从多孔低k电介质层去除有机成分。