在单晶硅表面制备均匀倒金字塔绒面的湿化学方法

摘要

本发明公开了一种在单晶硅表面制备均匀倒金字塔绒面的湿化学方法，用于在大尺寸单晶硅片表面制备出均匀倒金字塔绒面，所述湿化学方法包括如下步骤：1）将单晶硅硅片置于沉积溶液中进行沉积处理；2）将经过颗粒沉积处理后的硅片置于刻蚀溶液中进行刻蚀处理；3）将刻蚀处理后的硅片置于碱溶液中进行各向异性刻蚀处理；4）用酸液清洗去除硅片表面金属。本发明可在大尺寸单晶硅片表面制备出均匀倒金字塔绒面。本发明不需要对硅片表面做预腐蚀，通过对金属沉积阶段的控制，实现对孔洞结构的尺寸和分布的均匀性控制，最终实现倒金字塔结构的大面积均匀分布，简单有效。