带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管及其制作方法，涉及半导体器件及其制作方法技术领域。所述二极管包括衬底，所述衬底上设有N+型GaN层和N‑型GaN层，第一欧姆接触层和N‑型GaN层保持间隔设置，右侧高掺杂的N+型GaN层的上表面设有第二欧姆接触层，所述N‑型GaN层的上表面设有肖特基接触层，所述肖特基接触层与第二欧姆接触层之间通过空气桥进行连接，所述第一欧姆接触层上设有第一悬空梁式引线，所述空气桥上设有第二悬空梁式引线。所述二极管利用梁式引线结构，可以实现微小芯片的压焊机装配，减少了涂覆导电胶带来的麻烦，降低了器件装配难度，提高工作效率和器件的质量。