首页> 中国专利> 电子束曝光的邻近效应修正方法及其应用

电子束曝光的邻近效应修正方法及其应用

页面导航

摘要

提供电子束曝光的高精度的邻近效应修正方法。对基底层图形(32)进行分类，在单位区域中，分别计算要复制到基底层图形(32)的上层上的描画层图形与基底层图形(32)重叠的重叠描画层图形(33)和不重叠的图形(31)的图形面积密度，进行电子束曝光的邻近效应修正。

公开/公告号CN1252544C

专利类型发明授权
公开/公告日2006-04-19

原文格式PDF
申请/专利权人株式会社东芝;
展开▼

申请/专利号CN03148322.4
发明设计人马越俊幸;佐藤信二;
展开▼

申请日2003-06-27
分类号G03F9/00(20060101);G03F7/20(20060101);G03F7/00(20060101);H01L21/027(20060101);
代理机构11247 北京市中咨律师事务所;
代理人陈海红;段承恩
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 08:58:21

1. 电子束曝光的邻近效应修正方法及其应用 [P] . 中国专利： CN1252544C . 2006.04.19
2. 一种基于二维快速傅里叶变换的电子束曝光的邻近效应矫正方法 [P] . 中国专利： CN112987514B . 2022.02.01
3. Proximity effect correction method of electron beam exposure, exposure method, manufacturing method and proximity effect correction module of semiconductor device [P] . 日本专利： JP3725841B2 . 2005-12-14

机译：电子束曝光的邻近效应校正方法，半导体器件的曝光方法，制造方法和邻近效应校正模块
4. PROXIMITY EFFECT CORRECTION METHOD [P] . 日本专利： JP2006222230A . 2006-08-24

机译：邻近效应修正方法
5. PROXIMITY EFFECT CORRECTION METHOD [P] . 日本专利： JPH09180978A . 1997-07-11

机译：邻近效应修正方法