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基于SiGe BiCMOS工艺的ECL触发器

摘要

本发明涉及一种基于SiGe BiCMOS工艺的ECL触发器,它包括一个高电平锁存电路单元和一个低电平锁存电路单元。本发明电路在常规ECL触发器电路的基础上增加了四个电感L

著录项

  • 公开/公告号CN104734671B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-06-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201410529568.2

  • 发明设计人 罗璞;杨卫东;付东兵;

    申请日2014-10-10

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 400060 重庆市南岸区南坪花园路14号

  • 入库时间 2022-08-23 09:57:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-16

    授权

    授权

  • 2015-07-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K 3/28 申请日:20141010

    实质审查的生效

  • 2015-06-24

    公开

    公开

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