能够改善等离子体诱导损伤的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种能够改善等离子体诱导损伤的半导体器件及其制造方法。通过在p型半导体衬底的背面形成n型半导体区，并且可选地进一步在该p型半导体衬底的背面形成绝缘层，本发明可以改善等离子体诱导损伤，从而提高了半导体器件的可靠性。