用于制造能够改善击穿电压特性的半导体器件的方法

摘要

在制造MOS晶体管的方法中，在半导体衬底内形成MOS晶体管隔离层，以围绕用于在该半导体衬底中形成该MOS晶体管的区域。然后，将第一杂质引入到该半导体衬底的该区域中，以调节该MOS晶体管的阈值电压。而且，将第二杂质仅引入到与该MOS晶体管隔离层相邻的上述区域的周边的一部分中，其中在所述部分上方将形成有所述MOS晶体管的栅电极。