包含具有磁隧道结的存储单元的薄膜磁性体存储装置

摘要

本发明提供一种能够减小与行选择动作有关的部分的电路面积的薄膜磁性体存储装置、当写入数据时能够防止发生对非选择存储单元的数据误写入的薄膜磁性体存储装置、以及能有效地评价各MTJ存储单元对数据误写入的耐受性的薄膜磁性体存储装置。在该薄膜磁性体存储装置中，存储器阵列(10)，被划分m行×n列的多个存储单元块(50)。写入数字线(WDL)，对各个存储单元块以独立的方式按每个存储单元行进行划分。各写入数字线(WDL)，根据通过与写入数字线(WDL)分级配置并由在行方向相邻的多个子块共用的主字线(MWL)及段译码线(SGDL)传送的信息有选择地激活。由于行方向的数据写入电流只流过与选择存储单元块对应的写入数字线(WDL)，所以能够防止发生对非选择存储单元的数据误写入。