首页> 中国专利> 提高多晶硅沉积速率及提高多晶硅副产SIHCL

提高多晶硅沉积速率及提高多晶硅副产SIHCL

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本提高多晶硅沉积速率及提高多晶硅副产SIHCL

著录项

公开/公告号CN105540592B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-05-31

原文格式PDF
申请/专利权人成都蜀菱科技发展有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201510969137.2
发明设计人沈祖祥;王姗;冉耘瑞;陈建;
展开▼

申请日2015-12-22
分类号
代理机构成都希盛知识产权代理有限公司;
代理人柯海军
地址 610000 四川省成都市新津工业园区新材料产业功能区新材18路
入库时间 2022-08-23 09:57:01

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-05-31

授权

授权
2016-11-16

著录事项变更 IPC(主分类):C01B 33/035 变更前: 变更后: 申请日:20151222

著录事项变更
2016-06-01

实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/035 申请日:20151222

实质审查的生效
2016-05-04

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 提高多晶硅沉积速率及提高多晶硅副产SIHCL [P] . 中国专利： CN105540592B . 2017.05.31
2. 多晶硅锭、硅母合金、用于提高太阳能电池的多晶硅锭的产率的方法 [P] . 中国专利： CN105723020B . 2019.04.09
3. Multicrystalline silicon ingots, silicon masteralloy, method for increasing the yield of multicrystalline silicon ingots for solar cells [P] . 美国专利： US10693031B2 . 2020-06-23

机译：多晶硅锭，硅母合金，提高太阳能电池用多晶硅锭产量的方法
4. Multicrystalline silicon ingots, silicon masteralloy, method for increasing the yield of multicrystalline silicon ingots for solar cells [P] . 美国专利： US10483428B2 . 2019-11-19

机译：多晶硅锭，硅母合金，提高太阳能电池用多晶硅锭产量的方法
5. Multicrystalline Silicon Ingots, Silicon Master Alloy, Process for Increasing the performance of multicrystalline Silicon Ingots for Solar Cells [P] . CL2016000452A1 . 2016-12-09

机译：多晶硅锭，硅中间合金，提高太阳能电池用多晶硅锭性能的工艺

获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号