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公开/公告号CN104614560B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-05-31
原文格式PDF
申请/专利权人 北京工业大学;
申请/专利号CN201510024564.3
发明设计人 冯士维;马超;石磊;
申请日2015-01-18
分类号G01R1/04(20060101);
代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;
代理人刘萍
地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号
入库时间 2022-08-23 09:56:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-05-31
授权
2015-06-10
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 1/04 申请日:20150118
实质审查的生效
2015-05-13
公开
机译: 具有低热阻的半导体器件的制造方法以及由所述另一种获得的器件
机译: 具有非常低的热阻的半导体器件的制造方法,以及由所述另一种获得的器件
机译:用于测量半导体器件的热阻分量的调制方法
机译:具有p-n结的半导体器件的热阻测量方法
机译:产品和技术:树脂材料热阻测量装置<用于测量树脂材料热阻的装置,对半导体的散热设计有效>
机译:使用周期性加热热解反射法测定半导体器件内半导体器件的微观电阻评价技术的发展:不同界面热阻的Au-Si 2层样品测量
机译:基于物理的热阻抗模型,用于仿真半导体器件和电路中的自热。
机译:生物有机/半导体器件结构中自旋相互作用的量子干涉测量
机译:功率半导体器件和散热器的情况下的热阻降低
机译:半导体测量技术:热阻测量