首页> 中国专利> 一种磁隧道结、其制造方法及含磁隧道结的存储单元

一种磁隧道结、其制造方法及含磁隧道结的存储单元

摘要

本发明提供一种纳米环形磁隧道结,其特征在于,所述纳米环形磁隧道结至少包括:位于中间的隧穿氧化层,所述隧穿氧化层材料为金属氧化物;上磁性层,设置于所述隧穿氧化层的上部;下磁性层,设置于所述隧穿氧化层的下部,其中,所述上磁性层、所述隧穿氧化层和所述下磁性层的外围形成为一柱体;椭圆柱形贯穿孔,竖向贯穿所述上磁性层、所述隧穿氧化层和所述下磁性层。本发明利用了磁隧道结的形状各向异性特征,制造出内椭圆外圆的环形磁隧道结,增加了磁隧道结的热稳定性以及加快了反磁化核形成和磁反转,并且降低了驱动电流密度和临界电流值及功耗。

著录项

  • 公开/公告号CN104576919B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201310492822.1

  • 发明设计人 张宏;王灵玲;张永兴;

    申请日2013-10-18

  • 分类号

  • 代理机构上海光华专利事务所;

  • 代理人李仪萍

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

  • 入库时间 2022-08-23 09:56:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-17

    授权

    授权

  • 2015-05-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/08 申请日:20131018

    实质审查的生效

  • 2015-04-29

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号