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公开/公告号CN104347692B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-06-06
原文格式PDF
申请/专利权人 北京大学;
申请/专利号CN201410448766.6
发明设计人 黄如;吴春蕾;黄芊芊;王阳元;
申请日2014-09-04
分类号H01L29/739(20060101);H01L21/331(20060101);
代理机构11360 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人朱红涛
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
入库时间 2022-08-23 09:56:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-06
授权
2015-03-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20140904
实质审查的生效
2015-02-11
公开
机译: 隧穿场效应晶体管的闪存区域耗尽区程序抑制方法及隧穿晶体管的存储器抑制
机译: 异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法
机译: 新型结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法
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机译:Ⅲ-Ⅴ隧穿场效应晶体管的输出特性研究
机译:深入了解III-V隧穿场效应晶体管的输出特性
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