公开/公告号CN104157306B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-06-06
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201410425309.5
申请日2014-08-26
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人骆苏华
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 09:56:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-06
授权
授权
2014-12-17
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/02 申请日:20140826
实质审查的生效
2014-11-19
公开
公开
机译: (EEPROM)单元,用于形成EEPROM双栅极场效应晶体管的方法以及用于形成EEPROM存储阵列(FLASH EEPROM)的方法
机译: EEPROM非易失性存储阵列的偏置方法及对应的EEPROM非易失性存储装置
机译: 使用EEPROMS来存储数据的存储卡设备和用于缓冲EEPROMS和外部设备之间的数据传输的接口缓冲器