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含硅碳膜的化学气相沉积的基态氢自由基源

摘要

本发明涉及含硅碳膜的化学气相沉积的基态氢自由基源,具体而言,通过下列步骤将薄层的含硅碳膜沉积在衬底上:从被提供给自由基发生室的氢气产生氢自由基;将氢自由基提供给经由多舱口气体分配器与衬底处理室分立的衬底处理室;以及使其中的氢自由基与同时被引入到衬底处理室的有机硅反应物作反应。在与有机硅反应物反应之前,氢自由基被允许在衬底处理室内的自由基弛豫区内弛豫到基态。

著录项

  • 公开/公告号CN104561934B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-06-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 朗姆研究公司;

    申请/专利号CN201410576747.1

  • 发明设计人 巴德里·N·瓦拉达拉简;龚波;

    申请日2014-10-24

  • 分类号

  • 代理机构上海胜康律师事务所;

  • 代理人李献忠

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:56:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-06

    授权

    授权

  • 2015-05-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/452 申请日:20141024

    实质审查的生效

  • 2015-04-29

    公开

    公开

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