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控制多指型半导体器件参数波动的制造方法

摘要

本发明公开了一种控制多指型半导体器件参数波动的制造方法,包括步骤:步骤一、提供一硅衬底,在器件区形成多个多指型半导体器件。步骤二、对各多指型半导体器件的参数进行预估并得到预估值。步骤三、进行正面金属层后形成各多指型半导体器件的电极金属指,各电极金属指的数目根据步骤二中的预估值调整。本发明能够将多指型半导体器件参数控制在工艺要求范围内,提升产品的可生产性。

著录项

  • 公开/公告号CN104637800B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-06-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201510024572.8

  • 发明设计人 徐向明;李昊;

    申请日2015-01-19

  • 分类号

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人郭四华

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2022-08-23 09:56:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-06

    授权

    授权

  • 2015-06-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20150119

    实质审查的生效

  • 2015-05-20

    公开

    公开

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