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测试绝缘体上半导体结构的方法和所述测试对于这样的结构的制造的应用

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本发明涉及一种测试绝缘体上半导体型结构的方法，该绝缘体上半导体型结构包括支撑基板(3)、具有小于50nm的厚度的介电层(2)和半导体层(12)，所述结构包括所述介电层(2)与所述支撑基板(3)之间或者所述介电层(2)与所述半导体层(12)之间或者介电层(2)内的接合界面(I)，该方法的特征在于，所述方法包括测量所述介电层(2)的击穿电荷(Q

著录项

公开/公告号CN104160494B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-05-24

原文格式PDF
申请/专利权人索泰克公司;
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申请/专利号CN201380012990.4
发明设计人帕特里克·雷诺;沃尔特·施瓦岑贝格;康斯坦丁·布德尔;J-F·吉尔伯特;
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申请日2013-02-18
分类号
代理机构北京三友知识产权代理有限公司;
代理人吕俊刚
地址法国伯尔宁
入库时间 2022-08-23 09:56:01

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-05-24

授权

授权
2015-04-01

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20130218

实质审查的生效
2014-11-19

公开

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1. 测试绝缘体上半导体结构的方法和所述测试对于这样的结构的制造的应用 [P] . 中国专利： CN104160494B . 2017.05.24
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