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公开/公告号CN104269402B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-05-10
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN201410450092.3
发明设计人 乔明;马金荣;张晓菲;甘志;张波;
申请日2014-09-04
分类号H01L27/02(20060101);H02H9/04(20060101);
代理机构51203 电子科技大学专利中心;
代理人李明光
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 09:55:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-05-10
授权
2015-02-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20140904
实质审查的生效
2015-01-07
公开
机译: 双向堆叠式SCR串联堆叠,用于高压引脚ESD保护,制造工艺和结构设计
机译: 双向背对背堆叠式SCR,用于高压引脚ESD保护,制造方法和设计结构
机译:用于高压ESD保护应用的新型衬底触发SCR-LDMOS堆叠结构
机译:LDMOS-SCR:具有高ESD自保护能力的LDMOS的替代品,适用于高压应用
机译:用于高压静电放电(ESD)保护应用的改进LDMOS-SCR
机译:用于高压ESD保护的新型SCR-LDMOS
机译:新型基于硅的可控整流器(SCR)的器件的设计,表征和紧凑模型,用于集成电路中的静电放电(ESD)保护应用。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:静电放电(EsD)模拟器实验(用于EsD仿真电路的某些开关/继电器的测试)