具有纳米线存取晶体管的DRAM

摘要

一种半导体纳米线与环绕式半导体部分(30D)一体地形成，该环绕式半导体部分接触位于深沟槽上部部分并且接触深沟槽电容器的内部电极(16)的导电顶盖结构(18)的侧壁。半导体纳米线(30N)悬于埋入绝缘体层(20)上方。栅电介质层(32L)形成在包括半导体纳米线和环绕式半导体部分的半导体材料结构(30P)的表面上。环绕式栅电极部分(30D)绕半导体纳米线的中心部分形成并且形成栅分隔件(52)。去除图案化的半导体材料结构的物理暴露部分，执行选择性外延和金属化，以将半导体纳米线的源侧端部连接到导电顶盖结构。