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Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International
Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International
召开年:
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Washington, DC
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1.
A Direct Tunneling Memory (DTM) utilizing novel floating gatestructure
机译:
利用新型浮栅的直接隧道存储器(DTM)结构体
作者:
Horiguchi N.
;
Usuki T.
;
Goto K.
;
Futatsugi T.
;
Sugii T.
;
Yokoyama N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
2.
High Al-content AlGaN/GaN HEMTs on SiC substrates with very highpower performance
机译:
具有非常高的SiC衬底上的高Al含量AlGaN / GaN HEMT动力表现
作者:
Wu Y.-F.
;
Kapolnek D.
;
Ibbetson J.
;
Zhang N.-Q.
;
Parikh P.
;
Keller B.P.
;
Mishra U.K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
3.
High performance strained-Si p-MOSFETs on SiGe-on-insulatorsubstrates fabricated by SIMOX technology
机译:
绝缘体上的SiGe上的高性能应变Si p-MOSFET通过SIMOX技术制造的基材
作者:
Mizuno T.
;
Takagi S.
;
Sugiyama N.
;
Koga J.
;
Tezuka T.
;
Usuda K.
;
Hatakeyama T.
;
Kurobe A.
;
Toriumi A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
4.
0.1-μm CMOS technology for high-speed logic and system LSIs withSiO/SiN/poly-Si/W gate-system
机译:
适用于高速逻辑和系统LSI的0.1μmCMOS技术SiO / SiN / poly-Si / W栅极系统
作者:
Onai T.
;
Tsujikawa S.
;
Uchino T.
;
Tsuchiya R.
;
Ohnishi K.
;
Fukuda H.
;
Hisamoto D.
;
Yamamoto N.
;
Yugami J.
;
Ichinose K.
;
Ootsuka F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
5.
Electrical properties of submicron (ges;0.13 μm2)Ir/PZT/Ir capacitors formed on W plugs
机译:
亚微米(⩾ 0.13μm 2 sup>)的电性能W插头上形成的Ir / PZT / Ir电容器
作者:
Moise T.S.
;
Summerfelt S.R.
;
Xing G.
;
Colombo L.
;
Sakoda T.
;
Gilbert S.R.
;
Loke A.
;
Ma S.
;
Kavari R.
;
Wills L.A.
;
Hsu T.
;
Amano J.
;
Johnston S.T.
;
Vestyck D.J.
;
Russell M.W.
;
Bilodeau S.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
6.
Molecular-scale rectifying diodes based on Y-junction carbonnanotubes
机译:
基于Y结碳的分子级整流二极管纳米管
作者:
Vedeneev A.S.
;
Li J.
;
Papadopoulos C.
;
Rakitin A.
;
Bennett A.J.
;
Chik H.W.
;
Xu J.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
7.
Patterned 1.54 μm vertical cavity laser with mismatcheddefect-free mirrors
机译:
具有失配的图案化1.54μm垂直腔激光器无缺陷的镜子
作者:
Qasaimeh O.
;
Gebretsadik H.
;
Bhattacharya P.
;
Caneau C.
;
Bhat R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
8.
Predictive BSIM3v3 modeling for the 0.15-0.18 μm CMOS technologynode: a process DOE based approach
机译:
适用于0.15-0.18μmCMOS技术的预测性BSIM3v3建模节点:基于过程DOE的方法
作者:
Vasanth K.
;
Krick J.
;
Unnikrishnan S.
;
Nandakumar M.
;
Jacobs J.
;
Ehnis P.
;
Green K.
;
Machala C.
;
Vrotsos T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
9.
Low voltage tunneling in ultra-thin oxides: a monitor for interfacestates and degradation
机译:
超薄氧化物中的低压隧穿:接口监视器状态和退化
作者:
Ghetti A.
;
Sangiorgi E.
;
Bude J.
;
Sorsch T.W.
;
Weber G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
10.
A new sensor structure and fabrication process for a single-chipfingerprint sensor/identifier LSI
机译:
单芯片的新传感器结构和制造工艺指纹传感器/识别器LSI
作者:
Machida K.
;
Shigematsu S.
;
Morimura H.
;
Shimoyama N.
;
Tanabe Y.
;
Kumazaki T.
;
Kudou K.
;
Yano M.
;
Kyuragi H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
11.
Ultra low capacitance measurements in multilevel metallisation CMOSby using a built-in electron-meter
机译:
多级金属化CMOS中的超低电容测量通过使用内置电子计
作者:
Froment B.
;
Paillardet F.
;
Bely M.
;
Cluzel J.
;
Granger E.
;
Haond M.
;
Dugoujon L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
12.
Line inductance extraction and modeling in a real chip with powergrid
机译:
带电源的真实芯片中的线电感提取和建模格
作者:
Kleveland B.
;
Xiaoning Qi
;
Madden L.
;
Dutton R.W.
;
Wong S.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
13.
A two-dimensional low pass filter model for die-level topographyvariation resulting from chemical mechanical polishing of ILD films
机译:
芯片级形貌的二维低通滤波器模型ILD膜的化学机械抛光导致的变化
作者:
Tat-Kwan Yu
;
Chheda S.
;
Ko J.
;
Roberton M.
;
Dengi A.
;
Travis E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
14.
A low-distortion and high-efficiency E-mode GaAs power FET based ona new method to improve device linearity focused on g
m
value
机译:
低失真,高效E模式GaAs功率FET,基于g
m sub>值提高设备线性度的新方法
作者:
Nakasha Y.
;
Nagahara M.
;
Tateno Y.
;
Takahashi H.
;
Igarashi T.
;
Joshin K.
;
Fukaya J.
;
Takikawa M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
15.
A new substrate engineering for the formation of empty space insilicon (ESS) induced by silicon surface migration
机译:
一种新的基板工程,用于在基板中形成空白空间硅表面迁移引起的硅(ESS)
作者:
Sato T.
;
Aoki N.
;
Mizushima I.
;
Tsunashima Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
16.
Very low cost graded SiGe base bipolar transistors for a highperformance modular BiCMOS process
机译:
成本极低的分级SiGe基极双极晶体管性能模块化BiCMOS工艺
作者:
King C.A.
;
Frei M.R.
;
Mastrapasqua M.
;
Ng K.K.
;
Kim Y.O.
;
Johnson R.W.
;
Moinian S.
;
Martin S.
;
Cong H.-I.
;
Klemens F.P.
;
Tang R.
;
Nguyen D.
;
Hsu T.-I.
;
Campbell T.
;
Molloy S.J.
;
Fritzinger L.B.
;
Ivanov T.G.
;
Bourdelle K.K.
;
Lee C.
;
Chyan Y.-F.
;
Carroll M.S.
;
Leung C.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
17.
A novel hot carrier mechanism: band-to-band tunneling hole inducedbipolar hot electron (BBHBHE)
机译:
一种新型的热载流子机制:带间隧道效应双极热电子(BBHBHE)
作者:
Lin F.R.-L.
;
Cheng-Hao Poe
;
Ching-Pen Yeh
;
Po-Hao Wu
;
Ni J.
;
Hsu C.C.-H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
18.
A novel W/TiNx metal gate CMOS technology usingnitrogen-concentration-controlled TiNx film
机译:
一种新颖的W / TiNx金属栅CMOS技术,使用氮浓度控制的TiNx膜
作者:
Wakabayashi H.
;
Saito Y.
;
Takeuchi K.
;
Mogami T.
;
Kunio T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
19.
Dopant redistribution in SOI during RTA: a study on doping inscaled-down Si layers
机译:
RTA期间SOI中的掺杂物重新分布:掺杂中的掺杂研究缩小的Si层
作者:
Heemyong Park
;
Jones E.C.
;
Ronsheim P.
;
Cabral C. Jr.
;
DEmic C.
;
Cohen G.M.
;
Young R.
;
Rausch W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
20.
Full-0.56 μm pitch copper interconnects for a high performance0.15-μm CMOS logic device
机译:
全0.56μm间距铜互连以实现高性能0.15μmCMOS逻辑器件
作者:
Iguchi M.
;
Takewaki T.
;
Matsubara Y.
;
Kunimune Y.
;
Ito N.
;
Tsuchiya Y.
;
Matsui T.
;
Fujii K.
;
Motoyama K.
;
Sugai K.
;
Kubo A.
;
Suzuki H.
;
Tachibana H.
;
Nishizawa A.
;
Nakabeppu K.
;
Yamasaki S.
;
Yokogawa S.
;
Yamamoto Y.
;
Kunugi T.
;
Nakata S.
;
Kagamihara M.
;
Shida A.
;
Nakamoto S.
;
Gomi H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
21.
A high-performance 0.18-μm merged DRAM/Logic technologyfeaturing 0.45-μm2 stacked capacitor cell
机译:
高性能0.18μm合并DRAM /逻辑技术具有0.45-μm 2 sup>堆叠电容器单元
作者:
Hamada M.
;
Inoue K.
;
Kubota R.
;
Takeuchi M.
;
Sakao M.
;
Abiko H.
;
Kawamoto H.
;
Yamaguchi H.
;
Kitamura H.
;
Onishi S.
;
Koyanagi K.
;
Mikagi K.
;
Urabe K.
;
Taguwa T.
;
Yamamoto T.
;
Nagai N.
;
Shirakawa I.
;
Kishi S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
22.
The Vertical Replacement-Gate (VRG) MOSFET: a 50-nm vertical MOSFETwith lithography-independent gate length
机译:
垂直替换门(VRG)MOSFET:50纳米垂直MOSFET与光刻无关的栅极长度
作者:
Hergenrother J.M.
;
Monroe D.
;
Klemens F.P.
;
Komblit A.
;
Weber G.R.
;
Mansfield W.M.
;
Baker M.R.
;
Baumann F.H.
;
Bolan K.J.
;
Bower J.E.
;
Ciampa N.A.
;
Cirelli R.A.
;
Colonell J.I.
;
Eaglesham D.J.
;
Frackoviak J.
;
Gossmann H.J.
;
Green M.L.
;
Hillenius S.J.
;
King C.A.
;
Kleiman R.N.
;
Lai W.Y.C.
;
Lee J.T.-C.
;
Liu R.C.
;
Maynard H.L.
;
Morris M.D.
;
Oh S.-H.
;
Pai C.-S.
;
Rafferty C.S.
;
Rosamilia J.M.
;
Sorsch T.W.
;
Vuong H.-H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
23.
Threshold voltage increase by quantum mechanical narrow channeleffect in ultra-narrow MOSFETs
机译:
量子机械窄通道使阈值电压增加超窄MOSFET的效应
作者:
Majima H.
;
Ishikuro H.
;
Hiramoto T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
24.
Explanation of soft and hard breakdown and its consequences forarea scaling
机译:
软故障和硬故障及其后果的解释面积缩放
作者:
Alam M.A.
;
Weir B.
;
Bude J.
;
Silverman P.
;
Monroe D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
25.
Improved PMOSFET short-channel performance using ultra-shallow Si
0.8
Ge
0.2
source/drain extensions
机译:
使用超浅硅改善了PMOSFET的短沟道性能
0.8 sub> Ge
0.2 sub>源/漏极扩展
作者:
Takeuchi H.
;
Wen-Chin Lee
;
Ranade P.
;
Tsu-Jae King
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
26.
Explaining the dependences of electron and hole mobilities in SiMOSFET's inversion layer
机译:
解释硅中电子和空穴迁移率的依赖性MOSFET的反型层
作者:
Pirovano A.
;
Lacaita A.L.
;
Zandler G.
;
Oberhuber R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
27.
RF LDMOS with extreme low parasitic feedback capacitance and highhot-carrier immunity
机译:
RF LDMOS具有极低的寄生反馈电容和高的热载流子免疫
作者:
Shuming Xu
;
Pangdow Foo
;
Jianqing Wen
;
Yong Liu
;
Fujiang Lin
;
Changhong Ren
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
28.
Design and demonstration of new operation mode multi-emitterresonant tunneling hot electron transistors for one-transistor-SRAM-celland peripheral logic circuitry
机译:
新型工作模式多发射器的设计与演示单晶体管SRAM单元的共振隧穿热电子晶体管和外围逻辑电路
作者:
Takatsu M.
;
Adachihara T.
;
Mori T.
;
Awano Y.
;
Yokoyama N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
29.
Hydrogenated amorphous-silicon thin-film transistor structure withburied field plate
机译:
具有以下结构的氢化非晶硅薄膜晶体管结构埋场板
作者:
Nahm J.-Y.
;
Lan J.-H.
;
Kanicki J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
30.
Chip-level performance improvement using triple damascene wiringdesign concept for 0.13 μm CMOS devices
机译:
使用三层金属镶嵌布线提高芯片级性能0.13μmCMOS器件的设计概念
作者:
Oda N.
;
Matsumoto A.
;
Yokoyama T.
;
Ishigami T.
;
Motoyama K.
;
Morita N.
;
Aizawa K.
;
Kishimoto R.
;
Gormi H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
31.
Surface/bulk micromachining (SBM) process and deep trench oxideisolation method for MEMS
机译:
表面/本体微加工(SBM)工艺和深沟槽氧化物MEMS的隔离方法
作者:
Sangwoo Lee
;
Sangjun Park
;
Dong-Il Cho
;
Yongsoo Oh
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
32.
Analysis of trap-assisted conduction mechanisms through silicondioxide films using quantum yield
机译:
通过硅的陷阱辅助传导机制分析使用量子产率的二氧化膜
作者:
Ghetti A.
;
Alam M.A.
;
Bude J.
;
Monroe D.
;
Sangiorgi E.
;
Vaidya H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
33.
Low temperature (Ba,Sr)TiO
3
capacitor processintegration (LTB) technology for gigabit scaled DRAMs
机译:
低温(Ba,Sr)TiO
3 sub>电容器工艺千兆位DRAM的集成(LTB)技术
作者:
Hieda K.
;
Eguchi K.
;
Nakahira J.
;
Kiyotoshi M.
;
Nakabayashi M.
;
Tomita H.
;
Izuha M.
;
Aoyama T.
;
Niwa S.
;
Tsunoda K.
;
Yamazaki S.
;
Lin J.
;
Shimada A.
;
Nakamura K.
;
Kubota T.
;
Asano M.
;
Hosaka K.
;
Fukuzumi Y.
;
Ishibashi Y.
;
Kohyama Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
34.
Super self-aligned double-gate (SSDG) MOSFETs utilizing oxidationrate difference and selective epitaxy
机译:
利用氧化的超自对准双栅极(SSDG)MOSFET速率差异和选择性外延
作者:
Jong-Ho Lee
;
Taraschi G.
;
Andy Wei
;
Langdo T.A.
;
Fitzgerald E.A.
;
Antoniadis D.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
35.
Mechanism for hot-carrier-induced interface trap generation in MOStransistors
机译:
MOS中热载流子引起的界面陷阱产生的机制晶体管
作者:
Zhi Chen
;
Hess K.
;
Jinju Lee
;
Lyding J.W.
;
Rosenbaum E.
;
Kizilyalli I.
;
Chetlur S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
36.
Optical devices fabricated from porous thin films embedded withliquid crystals
机译:
由嵌入有多孔薄膜的光学器件液晶
作者:
Sit J.C.
;
Broer D.J.
;
Brett M.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
37.
Impact of interconnect capacitance reduction on RF-Si deviceperformance
机译:
互连电容减小对RF-Si器件的影响性能
作者:
Nakahara Y.
;
Yano H.
;
Hirayama T.
;
Suzuki Y.
;
Furukawa A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
38.
Monolithic high-Q overhang inductors fabricated on silicon andglass substrates
机译:
在硅和硅上制造的单片高Q悬垂电感器玻璃基板
作者:
Jun-Bo Yoon
;
Chui-Hi Han
;
Euisik Yoon
;
Choong-Ki Kim
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
39.
1 GHz microprocessor integration with high performance transistorand low RC delay
机译:
1 GHz微处理器与高性能晶体管集成和低RC延迟
作者:
Jonghyon Ahn
;
Hyun-Sik Kim
;
Tae-Jin Kim
;
Hyung-Ho Shin
;
Young-Ho Kim
;
Dong-Uk Lim
;
Joon Kim
;
Uin Chung
;
Soo-Cheol Lee
;
Kwang-Pyuk Suh
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
40.
Characterization of crosstalk-induced noise for 0.18 μm CMOStechnology with 6-level metallization using time domain reflectometryand S-parameters
机译:
0.18μmCMOS的串扰感应噪声的表征时域反射仪的六层金属化技术和S参数
作者:
Hi-Deok Lee
;
Myoung-Jun Jang
;
Dae-Gwan Kang
;
Jeong-Mo Hwang
;
Yong-Joo Kim
;
Oh-Kyong Kwon
;
Dae-Mann Kim
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
41.
Minority carrier tunneling and stress-induced leakage current for p+ gate MOS capacitors with poly-Si andpoly-Si
0.7
Ge
0.3
gate material
机译:
p的少数载流子隧穿与应力引起的漏电流 + sup>带有多晶硅和多晶硅
0.7 sub> Ge
0.3 sub>栅材料
作者:
Houtsma V.E.
;
Holleman J.
;
Salm C.
;
de Hann I.R.
;
Schmitz J.
;
Widdershoven F.P.
;
Woerlee P.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
42.
Determination of stress in shallow trench isolation for deepsubmicron MOS devices by UV Raman spectroscopy
机译:
确定深沟浅沟隔离中的应力紫外拉曼光谱法检测亚微米MOS器件
作者:
Dombrowski K.F.
;
Fischer A.
;
Dietrich B.
;
De Wolf I.
;
Bender H.
;
Pochet S.
;
Simons V.
;
Rooyackers R.
;
Badenes G.
;
Stuer C.
;
Van Landuyt J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
43.
Advanced interconnect schemes towards 0.1 μm
机译:
朝0.1μm的先进互连方案
作者:
Moussavi M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
44.
An anode hole injection percolation model for oxide breakdown-the“doom's day” scenario revisited
机译:
用于氧化物分解的阳极空穴注入渗流模型重新审视“末日”场景
作者:
Alam M.A.
;
Bude J.
;
Weir B.
;
Silverman P.
;
Ghetti A.
;
Monroe D.
;
Cheung K.P.
;
Moccio S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
45.
Self-heating characterization for SOI MOSFET based on AC outputconductance
机译:
基于交流输出的SOI MOSFET自热特性电导
作者:
Wei Jin
;
Fung S.K.H.
;
Weidong Liu
;
Chan P.C.H.
;
Chenming Hu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
46.
High temperature (450° C) reliable NMISFET's on p-type 6H-SiC
机译:
在p型6H-SiC上具有耐高温(450°C)的可靠NMISFET
作者:
Wang X.W.
;
Zhu W.J.
;
Guo X.
;
Ma T.P.
;
Tucker J.B.
;
Rao M.V.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
47.
Resonant Fowler-Nordheim tunneling through layered tunnel barriersand its possible applications
机译:
共振Fowler-Nordheim隧道穿过分层隧道屏障及其可能的应用
作者:
Korotkov A.
;
Likharev K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
48.
Two-dimensional dopant characterization using SIMS, SCS andTSUPREM4
机译:
使用SIMS,SCS和DMS进行二维掺杂剂表征TSUPREM4
作者:
Ukraintsev V.A.
;
Walsh S.T.
;
Ashburn S.P.
;
Machala C.F.
;
Edwards H.
;
Gray J.T.
;
Joshi S.
;
Woodall D.
;
Chang M.-C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
49.
Investigation of plasma-induced charging damage for nMOSFETs withconventional or damascene Al interconnects
机译:
研究nMOSFET的等离子体诱导的充电损伤常规或镶嵌Al互连
作者:
Shiba K.
;
Hayashi Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
50.
Mid-IR type-II interband cascade lasers based on InAs/GaInSbheterostructures
机译:
基于InAs / GaInSb的中红外II型带间级联激光器异质结构
作者:
Bradshaw J.L.
;
Bruno J.D.
;
Pham J.T.
;
Wortman D.E.
;
Yang R.Q.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
51.
Zirconium oxide based gate dielectrics with equivalent oxidethickness of less than 1.0 nm and performance of submicron MOSFET usinga nitride gate replacement process
机译:
含氧化锆的氧化锆基栅极电介质厚度小于1.0 nm且使用的亚微米MOSFET的性能氮化物栅极替换工艺
作者:
Yanjun Ma
;
Yoshi Ono
;
Stecker L.
;
Evans D.R.
;
Hsu S.T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
52.
Two-dimensional nozzle arrangement in a monolithic inkjet printheadfor high-resolution and high-speed printing
机译:
整体式喷墨打印头中的二维喷嘴布置用于高分辨率和高速打印
作者:
Jae-Duk Lee
;
Choon-Sup Lee
;
Ki-Chul Chun
;
Chul-Hi Han
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
53.
Ultrathin hafnium oxide with low leakage and excellent reliabilityfor alternative gate dielectric application
机译:
超薄氧化ha泄漏少,可靠性高用于替代栅介质应用
作者:
Byoung Hun Lee
;
Laegu Kang
;
Wen-Jie Qi
;
Renee Nieh
;
Yongjoo Jeon
;
Katsunori Onishi
;
Lee J.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
54.
MOSCAP and MOSFET characteristics using ZrO
2
gatedielectric deposited directly on Si
机译:
ZrO
2 sub>栅极的MOSCAP和MOSFET特性电介质直接沉积在Si上
作者:
Wen-Jie Qi
;
Renee Nieh
;
Byoung Hun Lee
;
Laegu Kang
;
Yongjoo Jeon
;
Onishi K.
;
Ngai T.
;
Banerjee S.
;
Lee J.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
55.
Single grain thin-film-transistor (TFT) with SOI CMOS performanceformed by metal-induced-lateral-crystallization
机译:
具有SOI CMOS性能的单晶薄膜晶体管(TFT)由金属诱导的侧向结晶形成
作者:
Jagar S.
;
Chan M.
;
Poon M.C.
;
Hongmei Wang
;
Ming Qin
;
Ko P.K.
;
Yangyuan Wang
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
56.
Limit of the mobility enhancement of the excimer-laser-crystallizedlow-temperature poly-Si TFTs
机译:
准分子激光结晶的迁移率提高的极限低温多晶硅TFT
作者:
Hara A.
;
Sasaki N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
57.
Advanced thermally stable silicide S/D electrodes for high-speedlogic circuits with large-scale embeddedTa
2
O
5
-capacitor DRAMs
机译:
先进的热稳定硅化物S / D电极,用于高速大规模嵌入式逻辑电路Ta
2 sub> O
5 sub>电容器DRAM
作者:
Saito M.
;
Yoshida M.
;
Asaka K.
;
Goto H.
;
Fukuda N.
;
Kawano M.
;
Kojima M.
;
Suzuki M.
;
Ogaya K.
;
Enomoto H.
;
Hotta K.
;
Sakai S.
;
Asakura H.
;
Fukuda T.
;
Sekiguchi T.
;
Takakura T.
;
Kobayashi N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
58.
An 80 nm dual-gate CMOS with shallow extensions formed afteractivation annealing and SALICIDE
机译:
80nm双栅CMOS形成浅扩展活化退火和硅化物
作者:
Morifuji E.
;
Ohishi A.
;
Miyashita K.
;
Kawashima H.
;
Nakayama T.
;
Yoshimura H.
;
Toyoshima Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
59.
A novel trench DRAM cell with a vertical access transistor andburied strap (VERI BEST) for 4 Gb/16 Gb
机译:
具有垂直存取晶体管的新型沟槽DRAM单元和4 Gb / 16 Gb的埋入式表带(VERI BEST)
作者:
Gruening U.
;
Radens C.J.
;
Mandelman J.A.
;
Michaelis A.
;
Seitz M.
;
Arnold N.
;
Lea D.
;
Casarotto D.
;
Knorr A.
;
Halle S.
;
Ivers T.H.
;
Economikos L.
;
Kudelka S.
;
Rahn S.
;
Tews H.
;
Lee H.
;
Divakaruni R.
;
Welser J.J.
;
Furukawa T.
;
Kanarsky T.S.
;
Alsmeier J.
;
Bronner G.B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
60.
A high density high performance 180 nm generation EtoxTMflash memory technology
机译:
高密度高性能180 nm世代Etox TM sup>闪存技术
作者:
Fazio A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
61.
Integration and design issues in combining very-high-speedsilicon-germanium bipolar transistors and ULSI CMOS for system-on-a-chipapplications
机译:
结合超高速时的集成和设计问题片上系统的硅锗双极晶体管和ULSI CMOS应用领域
作者:
Subbanna S.
;
Freeman G.
;
Ahlgren D.
;
Greenberg D.
;
Harame D.
;
Dunn J.
;
Herman D.
;
Meyerson B.
;
Greshishchev Y.
;
Schvan P.
;
Thornberry D.
;
Sakamoto G.
;
Tayrani R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
62.
`System on a chip' technology platform for 0.18 μm digital,mixed signal and eDRAM applications
机译:
用于0.18μm数字的“片上系统”技术平台,混合信号和eDRAM应用
作者:
Mahnkopf R.
;
Allers K.-H.
;
Armacost M.
;
Augustin A.
;
Barth J.
;
Brase G.
;
Busch R.
;
Demm E.
;
Dietz G.
;
Flietner B.
;
Friese G.
;
Grellner F.
;
Han K.
;
Hannon R.
;
Ho H.
;
Hoinkis M.
;
Holloway K.
;
Hook T.
;
Iyer S.
;
Kim P.
;
Knoblinger G.
;
Lemaitre B.
;
Lin C.
;
Mih R.
;
Neumueller W.
;
Pape J.
;
Prigge O.
;
Robson N.
;
Rovedo N.
;
Schafbauer T.
;
Schiml T.
;
Schruefer K.
;
Srinivasan S.
;
Stetter M.
;
Towler F.
;
Wensley P.
;
Wann C.
;
Wong R.
;
Zoeller R.
;
Chen B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
63.
RF potential of a 0.18-μm CMOS logic technology
机译:
0.18μmCMOS逻辑技术的RF电位
作者:
Burghartz J.N.
;
Hargrove M.
;
Webster C.
;
Groves R.
;
Keenes M.
;
Jenkins K.
;
Edelstein D.
;
Logan R.
;
Nowak E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
64.
A 0.16 μm modular BiCMOS (COM2-BiCMOS) technology for RFcommunication ICs
机译:
用于RF的0.16μm模块化BiCMOS(COM2-BiCMOS)技术通讯IC
作者:
Carroll M.S.
;
Ivanov T.G.
;
Yih-Feng Chyan
;
Nguyen D.P.
;
Chunchieh Huang
;
Ting-Ih Hsu
;
Chung Wai Leung
;
Cochran W.T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
65.
A low dark current double membrane poly-Si FT-technology for 2/3inch 6M pixel CCD imagers
机译:
一种用于2/3的低暗电流双膜多晶硅FT技术英寸6M像素CCD成像仪
作者:
Peek H.L.
;
Verbugt W.E.
;
Heijns H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
66.
A novel approach to simulate the effect of optical proximity onMOSFET parametric yield
机译:
一种模拟光学邻近效应对光的影响的新颖方法MOSFET参数合格率
作者:
Balasinski A.
;
Gangala H.
;
Axelrad V.
;
Boksha V.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
67.
A directional current switch using silicon single electrontransistors controlled by charge injection into silicon nano-crystalfloating dots
机译:
使用硅单电子的定向电流开关电荷注入硅纳米晶体中控制的晶体管浮点
作者:
Takahashi N.
;
Ishikuro H.
;
Hiramoto T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
68.
A 25 GHz InGaAs/InAlAs-InP HBT power MMIC with 48 power addedefficiency
机译:
添加了48%功率的25 GHz InGaAs / InAlAs-InP HBT功率MMIC效率
作者:
Kobayashi K.W.
;
Li Yang
;
Gutierrez-Aitken A.
;
Kaneshiro E.
;
Yamada F.M.
;
Yen H.C.
;
Block T.R.
;
Oki A.K.
;
Streit D.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
69.
A 1.2V, sub-0.09 μm gate length CMOS technology
机译:
1.2V,小于0.09μm栅极长度的CMOS技术
作者:
Mehrotra M.
;
Hu J.C.
;
Jain A.
;
Shiau W.
;
Reddy V.
;
Aur S.
;
Rodder M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
70.
A consistent model for time dependent dielectric breakdown inultrathin silicon dioxides
机译:
随时间变化的电介质击穿的一致模型超薄二氧化硅
作者:
Okada K.
;
Yoneda K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
71.
A manufacturable multiple gate oxynitride thickness technology forsystem on a chip
机译:
可制造的多栅极氮氧化物厚度技术片上系统
作者:
Lee C.H.
;
Luan H.F.
;
Song S.C.
;
Lee S.J.
;
Evans B.
;
Kwong D.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
72.
A novel atomic layer doping technology for ultra-shallow junctionin sub-0.1 μm MOSFETs
机译:
一种用于超浅结的新型原子层掺杂技术在0.1μm以下的MOSFET中
作者:
Song Y.H.
;
Kim K.Y.
;
Bae J.C.
;
Kato K.
;
Arakawa E.
;
Kim K.S.
;
Park K.T.
;
Kurino H.
;
Koyanagi M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
73.
A 0.2-μm self-aligned SiGe HBT featuring 107-GHz f
max
and 6.7-ps ECL
机译:
具有107 GHz f
max sub>的0.2μm自对准SiGe HBT和6.7ps ECL
作者:
Washio K.
;
Kondo M.
;
Ohue E.
;
Oda K.
;
Hayami R.
;
Tanabe M.
;
Shimamoto H.
;
Harada T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
74.
Modular integration of high-performance SiGe:C HBTs in a deepsubmicron, epi-free CMOS process
机译:
高性能SiGe:C HBT的模块化集成亚微米,无Epi的CMOS工艺
作者:
Ehwald K.E.
;
Knolll D.
;
Heinemann B.
;
Chang K.
;
Kitchgessner J.
;
Mauntel R.
;
Lim I.S.
;
Steele J.
;
Schley P.
;
Tillack B.
;
Wolff A.
;
Blum K.
;
Winkler W.
;
Pierschel M.
;
Jagdhold U.
;
Barth R.
;
Grabolla T.
;
Erzgraber H.J.
;
Hunger B.
;
Osten H.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
75.
A 0.18 μm 90 GHz f
T
SiGe HBT BiCMOS, ASIC-compatible,copper interconnect technology for RF and microwave applications
机译:
兼容ASIC的0.18μm90 GHz f
T sub> SiGe HBT BiCMOS,射频和微波应用的铜互连技术
作者:
Freeman G.
;
Ahlgren D.
;
Greenberg D.R.
;
Groves R.
;
Huang F.
;
Hugo G.
;
Jagannathan B.
;
Jeng S.J.
;
Johnson J.
;
Schonenberg K.
;
Stein K.
;
Volant R.
;
Subbanna S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
76.
A novel thyristor-based SRAM cell (T-RAM) for high-speed,low-voltage, giga-scale memories
机译:
一种新颖的基于晶闸管的SRAM单元(T-RAM),用于高速,低压千兆位存储器
作者:
Nemati F.
;
Plummer J.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
77.
Integration of high-Q inductors in a latch-up resistant CMOStechnology
机译:
高Q电感器集成在抗闩锁CMOS中技术
作者:
Frei M.R.
;
Belk N.R.
;
Dennis D.C.
;
Carroll M.S.
;
Lin W.
;
Pinto M.R.
;
Archer V.D.
;
Ivanov T.G.
;
Moinian S.
;
Ng K.K.
;
Chu J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
78.
A novel cell-STP (storage node through plate node) cell-technologyfor multigigabit-scale DRAM and logic-embedded DRAM generations
机译:
一种新的cell-STP(存储节点到板节点)的cell-technology适用于几千兆规模的DRAM和逻辑嵌入式DRAM代
作者:
Uh H.S.
;
Song S.H.
;
Park B.J.
;
Oh J.H.
;
Chun Y.S.
;
Kwak D.H.
;
Hwang Y.S.
;
Lee K.H.
;
Jeong H.S.
;
Chung T.Y.
;
Kinam Kim
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
79.
A novel gate-offset NAND cell (GOC-NAND) technology suitable forhigh-density and low-voltage-operation flash memories
机译:
适用于以下方面的新型栅极偏置NAND单元(GOC-NAND)技术高密度低压操作闪存
作者:
Satoh S.
;
Nakamura T.
;
Shimizu K.
;
Takeuchi K.
;
Iizuka H.
;
Aritome S.
;
Shirota R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
80.
Improved ultraviolet quantum efficiency using a transparentrecessed window AlGaN/GaN heterojunction p-i-n photodiode
机译:
使用透明材料提高了紫外线量子效率凹陷窗口AlGaN / GaN异质结p-i-n光电二极管
作者:
Carrarro J.C.
;
Li T.
;
Beck A.L.
;
Collins C.
;
Dupuis R.D.
;
Campbell J.C.
;
Schurman M.J.
;
Ferguson I.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
81.
A 0.13 μm CMOS technology integrating high-speed andlow-power/high-density devices with two different well/channelstructures
机译:
0.13μmCMOS技术集成了高速具有两个不同阱/通道的低功率/高密度设备结构
作者:
Imai K.
;
Yamaguchi K.
;
Kimizuka N.
;
Onishi H.
;
Kudo T.
;
Ono A.
;
Noda K.
;
Goto Y.
;
Fujii H.
;
Ikeda M.
;
Kazama K.
;
Maruyama S.
;
Kuwata T.
;
Horiuchi T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
82.
A highly manufacturable 0.18 μm generation logic technology
机译:
高度可制造的0.18μm生成逻辑技术
作者:
Ikeda S.
;
Yoshida Y.
;
Shoji K.
;
Kuroda K.
;
Komori K.
;
Suzuki N.
;
Okuyama K.
;
Kamohara S.
;
Ishitsuka N.
;
Miura H.
;
Murakami E.
;
Yamanaka T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
83.
A micro-electro-mechanically (MEM) switched microstrip ringresonator
机译:
微机电(MEM)切换微带环共振器
作者:
Choudhury D.
;
Foschaar J.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
84.
A low-voltage rotary actuator fabricated using a five-levelpolysilicon surface micromachining technology
机译:
使用五级制造的低压旋转致动器多晶硅表面微加工技术
作者:
Krygowski T.W.
;
Rodgers M.S.
;
Sniegowski J.
;
Miller S.M.
;
Jakubczak J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
85.
Monte Carlo simulation of quantum yields exceeding unity as a probeof high-energy hole scattering rates in Si
机译:
量子产率超过一的蒙特卡罗模拟作为探针硅中高能空穴散射率的变化
作者:
Kamakura Y.
;
Kawashima I.
;
Deguchi K.
;
Taniguchi K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
86.
A DC-3 GHz cryogenic AlGaAs/GaAs HBT low noise MMIC amplifier with0.15 dB noise figure
机译:
具有以下功能的DC-3 GHz低温AlGaAs / GaAs HBT低噪声MMIC放大器0.15 dB噪声系数
作者:
Kobayashi K.W.
;
Fernandez J.E.
;
Kobayashi J.H.
;
Leung M.
;
Oki A.K.
;
Tran L.T.
;
Lammert M.
;
Block T.R.
;
Streit D.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
87.
A hydrogen barrier interlayer dielectric with aSiO
2
/SiON/SiO
2
stacked film for logic-embeddedFeRAMs
机译:
氢阻挡层间电介质用于逻辑嵌入的SiO
2 sub> / SiON / SiO
2 sub>叠层膜铁电随机存储器
作者:
Nakura T.
;
Mori H.
;
Inoue N.
;
Ikarashi N.
;
Takahashi S.
;
Kasai N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
88.
A Spice-compatible flash EEPROM model feasible for transient andprogram/erase cycling endurance simulation
机译:
兼容Spice的闪存EEPROM模型可用于瞬态和程序/擦除循环耐力模拟
作者:
Chung S.S.
;
Yih C.-M.
;
Wu S.S.
;
Chen H.H.
;
Gary Hong
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
89.
A novel sidewall strained-Si channel nMOSFET
机译:
新型侧壁应变硅沟道nMOSFET
作者:
Liu K.C.
;
Wang X.
;
Quinones E.
;
Chen X.
;
Chen X.D.
;
Kencke D.
;
Anantharam B.
;
Chang R.D.
;
Ray S.K.
;
Oswal S.K.
;
Tu C.Y.
;
Banerjee S.K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
90.
Soft error considerations for deep-submicron CMOS circuitapplications
机译:
深亚微米CMOS电路的软错误注意事项应用领域
作者:
Cohen N.
;
Sriram T.S.
;
Leland N.
;
Moyer D.
;
Butler S.
;
Flatley R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
91.
Dopant diffusion in C-doped Si and SiGe: physical model andexperimental verification
机译:
掺C的Si和SiGe中的掺杂剂扩散:物理模型和实验验证
作者:
Rucker H.
;
Heinemann B.
;
Bolze D.
;
Knoll D.
;
Kruger D.
;
Kurps R.
;
Osten H.J.
;
Schley P.
;
Tillack B.
;
Zaumseil P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
92.
High performance 0.18 μm SOI CMOS technology
机译:
高性能0.18μmSOI CMOS技术
作者:
Leobandung E.
;
Barth E.
;
Sherony M.
;
Lo S.-H.
;
Schulz R.
;
Chu W.
;
Khare M.
;
Sadana D.
;
Schepis D.
;
Boiam R.
;
Sleight I.
;
White F.
;
Assaderaghi F.
;
Moy D.
;
Biery G.
;
Goldblan R.
;
Chen T.-C.
;
Davari B.
;
Shahidi G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
93.
Actively biased p-channel MOSFET studied with scanning capacitancemicroscopy
机译:
研究偏置电容的有源偏置p沟道MOSFET显微镜检查
作者:
Nakakura C.Y.
;
Hetherington D.L.
;
Shaneyfelt M.R.
;
Dodd P.E.
;
De Wolf P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
94.
Author index
机译:
作者索引
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
95.
Extraction of the gate oxide thickness of N- and P-Channel MOSFETsbelow 20 Å from the substrate current resulting from valence-bandelectron tunneling
机译:
提取N和P沟道MOSFET的栅极氧化层厚度由价带引起的衬底电流低于20Å电子隧穿
作者:
Shanware A.
;
Shiely J.P.
;
Massoud H.Z.
;
Vogel E.
;
Henson K.
;
Srivastava A.
;
Osburn C.
;
Hauser J.R.
;
Wortman J.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
96.
Investigation of intrinsic transistor performance of advanced CMOSdevices with 2.5 nm NO gate oxides
机译:
先进CMOS的本征晶体管性能研究具有2.5 nm NO栅极氧化物的器件
作者:
Kubicek S.
;
Henson W.K.
;
De Keersgieter A.
;
Badenes G.
;
Jansen P.
;
van Meer H.
;
Kerr D.
;
Naem A.
;
Deferm L.
;
De Meyer K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
97.
NMOS drive current reduction caused by transistor layout and trenchisolation induced stress
机译:
由晶体管布局和沟槽引起的NMOS驱动电流减少隔离引起的压力
作者:
Scott G.
;
Lutze J.
;
Rubin M.
;
Nouri F.
;
Manley M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
98.
100 nm gate length high performance/low power CMOS transistorstructure
机译:
100 nm栅极长度的高性能/低功耗CMOS晶体管结构体
作者:
Ghani T.
;
Ahmed S.
;
Aminzadeh P.
;
Bielefeld J.
;
Charvat P.
;
Chu C.
;
Harper M.
;
Jacob P.
;
Jan C.
;
Kavalieros J.
;
Kenyon C.
;
Nagisetty R.
;
Packan P.
;
Sebastian J.
;
Taylor M.
;
Tsai J.
;
Tyagi S.
;
Yang S.
;
Bohr M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
99.
Device issues in the integration of analog/RF functions in deepsubmicron digital CMOS
机译:
深度模拟/ RF功能集成中的设备问题亚微米数字CMOS
作者:
Buss D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
100.
Experimental examination of physical model for direct tunnelingcurrent in unstressed/stressed ultrathin gate oxides
机译:
直接隧道物理模型的实验检验无应力/超应力超薄栅极氧化物中的电流
作者:
Takagi S.
;
Takayanagi M.
;
Toriumi A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International》
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