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公开/公告号CN104051502B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-04-26
原文格式PDF
申请/专利权人 国际商业机器公司;
申请/专利号CN201410089855.6
发明设计人 T·N·亚当;程慷果;B·B·多里斯;P·哈希米;A·卡基菲鲁兹;A·雷茨尼采克;
申请日2014-03-12
分类号
代理机构北京市中咨律师事务所;
代理人于静
地址 美国纽约
入库时间 2022-08-23 09:55:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-04-26
授权
2014-10-22
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20140312
实质审查的生效
2014-09-17
公开
机译: 在同一衬底上形成拉伸应变的SiGe鳍片和压缩应变的SiGe鳍片的方法和结构
机译: 半导体鳍片在鳍片底部具有电介质隔离
机译: 在绝缘体上形成III-V,Ge和SiGe鳍片的结构和方法
机译:使用替代鳍片工艺制造具有丰富Si组成面积的SiGe鳍片的高结晶质量
机译:具有阳极化栅极绝缘体并通过FET低压驱动液晶的有机FET
机译:通过在绝缘体上氧化图案化的SiGe FIN形成的富含锗的SiGe纳米线
机译:具有用于高级逻辑应用的高性能PMOS具有应变高GE含量SIGE鳍片
机译:形成具有钙化软骨区的软骨生物材料双相构建体。
机译:参与染色体分配的大肠杆菌MukB蛋白形成具有杆和铰链结构的同型二聚体具有DNA结合和ATP / GTP结合活性。
机译:具有高GE分数的高性能PMOSFET应变SiGE-异质结构 - 通过选择性B掺杂SiGE CVD形成的超肺源/漏极
机译:高次谐波,跨音速和超音速的飞行调查,以确定具有12.5,8.91和6.04的弹性比的鳍片稳定体的零提升拖曳以及最大直径的不同位置