形成抗蚀剂图案的工艺和制造半导体器件的工艺

摘要

为了增厚待增厚的抗蚀剂图案，从而容易地形成超过传统曝光装置光源曝光极限的精细图案，通过对底层对象上抗蚀剂图案化；在待增厚的抗蚀剂图案上应用至少包含一种表面活性剂的表面活性剂合成物；以及在其上面应用至少包含树脂和一种表面活性剂的抗蚀剂图案增厚材料，一种工艺形成了待增厚抗蚀剂图案。因此，增厚了待增厚的抗蚀剂图案而形成了具有狭窄间距的精细抗蚀剂图案。