一种高纯、铝掺杂碳化硅粉及其合成方法

摘要

本发明公开了一种高纯、铝掺杂碳化硅粉及其合成方法，涉及碳化硅半导体材料领域。碳化硅粉纯度高，达到99.999％；采用一次合成方法，工艺流程少，生产设备简单，操作易行，容易实现规模化生产；该方法如果原料硅粉采用掺杂铝的单晶硅或太阳能多晶硅，不但有利于对废弃的单晶硅或太阳能多晶硅的回收利用，防止对环境造成污染；而且得到的碳化硅粉为铝掺杂碳化硅粉，可以作为生产无色透明碳化硅晶体或p型掺杂碳化硅晶体的原料。