公开/公告号CN104141116B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-04-05
原文格式PDF
申请/专利权人 理想晶延半导体设备(上海)有限公司;
申请/专利号CN201310167085.8
申请日2013-05-08
分类号C23C16/455(20060101);C23C16/30(20060101);C23C16/52(20060101);
代理机构11319 北京润泽恒知识产权代理有限公司;
代理人黄海霞
地址 201203 上海市张江高科技园区居里路1号2幢302室
入库时间 2022-08-23 09:54:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-04-05
授权
授权
2014-12-10
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/455 申请日:20130508
实质审查的生效
2014-11-12
公开
公开
机译: 金属有机化学气相沉积系统反应器的气体喷淋
机译: 用于金属有机化学气相沉积的装置,包括具有上下盖的反应器,具有基座的晶片施加单元,加热单元,旋转驱动单元,具有气体供应连接的气体供应单元和气体输出单元
机译: 用于将气体和焊剂喷射到熔融铝中的气体分配装置,用于将气体和焊剂分配到熔融铝中的方法,以及用于快速旋转喷嘴组件的叶片转子