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一种消除12英寸单晶硅外延片表面微颗粒团聚的方法

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一种消除12英寸单晶硅外延片表面微颗粒团聚的方法，包括以下步骤：(1)单晶硅抛光片的表面清洗；(2)用HCl气体清洁外延炉腔体以及硅片反应基座；(3)将单晶硅抛光片装载到基座上，此时通入反应腔体内氢气的流量为30SLM；将反应腔体升温至1050～1150℃，提高氢气流量至100～160SLM，同时通入HCl气体腐蚀单晶硅表面，HCl/H

著录项

公开/公告号CN104576307B

专利类型发明专利
公开/公告日2017-04-05

原文格式PDF
申请/专利权人有研半导体材料有限公司;
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申请/专利号CN201310470777.X
发明设计人赵而敬;冯泉林;李宗峰;闫志瑞;库黎明;盛方毓;王永涛;葛钟;
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申请日2013-10-10
分类号
代理机构北京北新智诚知识产权代理有限公司;
代理人刘秀青
地址 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
入库时间 2022-08-23 09:54:10

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-04-05

授权

授权
2015-07-15

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 变更前: 变更后: 登记生效日:20150625 申请日:20131010

专利申请权、专利权的转移
2015-05-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20131010

实质审查的生效
2015-04-29

公开

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专利
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外文文献

1. 一种消除12英寸单晶硅外延片表面微颗粒团聚的方法 [P] . 中国专利： CN104576307B . 2017.04.05
2. 半导体12英寸单晶硅托盘表面氮化铝薄膜的清洗去除方法 [P] . 中国专利： CN108655089A . 2018-10-16
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