法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-04-05
授权
授权
2014-10-22
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 29/02 申请日:20130116
实质审查的生效
2014-09-24
公开
公开
机译: 存储器单元擦除方法,存储器单元擦除电路和电可擦除可编程非易失性存储器装置
机译: 半导体存储器中用于使用为每个单元存储的擦除/编程速度来擦除/编程存储单元的设备和方法
机译: 具有不对称电荷陷阱的多状态存储器单元,存储器阵列,电气系统,用于编程,擦除或读取多状态NAND存储器单元的方法以及读取多状态NAND存储器单元的阵列的方法