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纳米SiC复合Mg‑Si‑Sn基热电材料的制备方法

摘要

本发明涉及纳米SiC复合Mg‑Si‑Sn基热电材料的制备方法。首先,采用感应熔炼设备将Mg、Si、Sn块体原料熔炼成铸锭,然后按化学式配比称取的纳米SiC粉末与破碎的铸锭一并装入球磨罐中,采用机械球磨设备在氩气气氛下进行一次球磨,然后将装载一次球磨粉的石墨模具置于放电等离子烧结腔体中,在真空气氛下烧结成块体;再将烧结成的块体破碎后,在氩气气氛下进行二次球磨,然后在真空气氛下烧结得到高致密的Mg2Si1‑xSnx/SiCy(0≤x≤1.0,02Si1‑xSnx基体中的弥散分布,同时能够细化基体晶粒尺寸,提高材料的致密度和可加工性。

著录项

  • 公开/公告号CN105525122B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-03-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN201610057670.6

  • 申请日2016-01-27

  • 分类号C22C1/05(20060101);C22C1/10(20060101);C22C23/00(20060101);B22F3/105(20060101);H01L35/34(20060101);

  • 代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘萍

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2022-08-23 09:53:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-29

    授权

    授权

  • 2016-05-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):C22C 1/05 申请日:20160127

    实质审查的生效

  • 2016-04-27

    公开

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