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一种晶格匹配的六结太阳能电池

摘要

本发明公开了一种晶格匹配的六结太阳能电池,该电池以p型Ge单晶片为衬底,在Ge衬底上依次设置有GaInAs/GaInP缓冲层、AlGaAs/GaInAs DBR、Ga

著录项

  • 公开/公告号CN105355680B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-03-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中山德华芯片技术有限公司;

    申请/专利号CN201510811411.3

  • 申请日2015-11-19

  • 分类号

  • 代理机构广州市华学知识产权代理有限公司;

  • 代理人梁莹

  • 地址 528437 广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层

  • 入库时间 2022-08-23 09:53:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-22

    授权

    授权

  • 2016-03-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0304 申请日:20151119

    实质审查的生效

  • 2016-02-24

    公开

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