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公开/公告号CN103858342B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-03-22
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201280049624.1
发明设计人 孙尚郁;金德焕;金哲秀;朴浩洙;宋寅相;申济湜;李文喆;崔婧;
申请日2012-08-27
分类号H03H9/17(20060101);
代理机构11286 北京铭硕知识产权代理有限公司;
代理人尹淑梅;戴嵩玮
地址 韩国京畿道水原市
入库时间 2022-08-23 09:53:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-03-22
授权
2014-10-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H03H 9/17 申请日:20120827
实质审查的生效
2014-06-11
公开
机译: 体声波谐振器及其制造方法以及使用该体声波谐振器的射频装置
机译: 体声波谐振器及其制造方法使用体声波谐振器的无线电频率装置
机译: 体声波谐振器及其制造方法,以及使用体声波谐振器的无线电频率装置
机译:ZnO薄膜的光学和结构表征以及通过堆叠由电子束蒸发和射频磁控溅射技术制成的ZnO薄层来实现气体传感器的体声波谐振器(BAW)的制造
机译:使用体声波谐振器对射频滤波器进行非线性仿真的电路模型
机译:使用多孔硅层蚀刻的ZnO / Si复合膜结构的薄膜体声波谐振器的制造
机译:使用ZnO薄膜制造5GHz带膜体声波谐振器
机译:MEMS换能器的表征和制造:专注于体声波谐振器和磁致动器
机译:由硅纳米带场效应晶体管和体声波谐振器组成的双模式气体传感器:以氟利昂为例
机译:用于电子可切换体声波谐振器的基于铁电体的mEms结构的制造
机译:在光折变材料中使用全息反射光栅的体声波谐振器。