首页> 中国专利> 一种用于加速惰性硅化合物生长在衬底表面上的化学组合物

一种用于加速惰性硅化合物生长在衬底表面上的化学组合物

摘要

本发明提供的一种用于加速惰性硅化合物薄膜生长在衬底表面上的化学组合物,包括以下重量百分数的组分:氟硅酸或氟硅酸盐类化合物0.1‑25%,氨基酸类化合物0.1‑15%,铵类化合物0.05‑15%,无机酸0.001‑30%,有机酸0.001‑30%,表面活性剂0.001‑0.05%,核心添加剂0.01‑10%,余量为水。该辅助化学组合物成本低廉、使用方便、重复性好,将该辅助化学组合物应用于在硅片表面生成惰性硅化合物薄膜,制得的硅片整面色泽均匀,硅片表面惰性硅化合物薄膜分布均匀,该组合物特别适用于光伏、电子行业,可以大大降低惰性硅化合物在衬底表面生长所需要的温度,大大降低生产成本。

著录项

  • 公开/公告号CN104087913B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-03-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 韩冰;丁晓辉;徐涛;

    申请/专利号CN201410256585.3

  • 发明设计人 韩冰;丁晓辉;徐涛;

    申请日2014-06-11

  • 分类号C23C18/12(20060101);

  • 代理机构32273 南京苏创专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人沈振涛

  • 地址 450011 河南省郑州市金水区北环路36号院

  • 入库时间 2022-08-23 09:53:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-22

    授权

    授权

  • 2014-12-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 18/12 申请日:20140611

    实质审查的生效

  • 2014-10-08

    公开

    公开

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