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基于扇贝效应表面等离子体激元耦合纳米阵列加工工艺

摘要

本发明公开了一种制备表面等离子体激元耦合结构纳米阵列的方法。其步骤包括:采用电子束曝光制作的纳米级刻蚀掩模对衬底进行深反应离子刻蚀,再进行金属镀膜得到所述三维“金属纳米结构阵列‑纳米间隔层‑金属薄膜”结构。金属纳米结构发生光子与自由电子局域电磁场共振产生很强的局域表面等离子体激元,且其衍射效应提供波矢补偿激发金属薄膜的传播型表面等离子体激元,形成局域表面等离子体激元‑传播型表面等离子体激元耦合,将光束缚在纳米尺度,引发金属与介质界面非常强的表面局域近场增强。本发明制作的结构将促进表面等离子体激元的新机理探索,在超材料、超高灵敏光学生物传感等领域有着重要的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN104495742B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-03-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京大学;

    申请/专利号CN201410767125.7

  • 发明设计人 吴文刚;樊姣荣;马鹏程;谌灼杰;

    申请日2014-12-15

  • 分类号B81C1/00(20060101);

  • 代理机构北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人贾晓玲

  • 地址 100871 北京市海淀区成府路202号

  • 入库时间 2022-08-23 09:53:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-22

    授权

    授权

  • 2015-11-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 1/00 申请日:20141215

    实质审查的生效

  • 2015-04-08

    公开

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