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一种解决DV微影对准标志破坏的方法

摘要

一种解决DV微影对准标志破坏的方法,包括如下步骤:步骤一,DV微影光罩上设置DV对准标志图形,进行DV微影工艺:在待处理晶圆上定义DV对准标志图形;步骤二,刻蚀待处理晶圆上DV对准标志图形,形成沟槽形式的DV对准标志;步骤三,TE微影光罩上设置类DV对准标志图形,进行TE微影工艺:在待处理晶圆上定义类DV对准标志图形;步骤四,进行TE干法蚀刻:干法刻蚀所述DV对准标志的沟槽。本发明一种解决DV微影对准标志破坏的方法,在TE微影工艺时,将DV对准标志上的光阻打开,TE蚀刻将蚀刻DV对准标志沟槽内的残留物,使TE蚀刻后,DV对准标志沟槽内没有残留物,使后续工艺可以正常的进行,有效的解决了因DV对准标志被破坏而严重影响产品良率的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN103762207B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-03-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉新芯集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN201410003732.6

  • 发明设计人 董金文;张国民;

    申请日2014-01-03

  • 分类号

  • 代理机构北京轻创知识产权代理有限公司;

  • 代理人杨立

  • 地址 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

  • 入库时间 2022-08-23 09:52:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-15

    授权

    授权

  • 2014-06-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/544 申请日:20140103

    实质审查的生效

  • 2014-04-30

    公开

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