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公开/公告号CN105320205B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-03-08
原文格式PDF
申请/专利权人 国家电网公司;北京南瑞智芯微电子科技有限公司;
申请/专利号CN201410371561.2
发明设计人 苏胜新;杜新纲;杨小坤;原义栋;胡毅;何洋;李振国;
申请日2014-07-30
分类号G05F3/26(20060101);
代理机构11279 北京中誉威圣知识产权代理有限公司;
代理人郭振兴;王正茂
地址 100031 北京市西城区西长安街86号
入库时间 2022-08-23 09:52:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-03-08
授权
2016-03-09
实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 3/26 申请日:20140730
实质审查的生效
2016-02-10
公开
机译: 带隙基准源具有低失调电压和高PSRR
机译: 功耗低的高PSRR CMOS带隙参考电路
机译: 高PSRR,高精度,低电源带隙电路
机译:低失调,高PSRR,CMOS带隙基准电压源
机译:具有分段补偿的高PSRR带隙基准电压源
机译:具有高PSRR增强的180?NM自偏见的带隙参考
机译:具有高PSRR增强级的非常低的带隙电压参考,在90nm CMOS工艺技术中实现了LDO应用
机译:一款精确,无扰动,高PSRR,低压,CMOS带隙基准IC。
机译:具有高PSRR增强能力的180 nm自偏置带隙基准
机译:基于1V高PSRR OPAM的β-倍增器CMOS带隙电压参考,具有电阻划分
机译:用于高效聚合物太阳能电池的高结晶和低带隙供体聚合物。