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基于二维材料的杂化分级结构敏感薄膜传感器件制备方法

摘要

本发明公开了一种基于二维材料的杂化分级结构敏感薄膜传感器件制备方法,该传感器件包括:根据制备顺序依次层叠的单晶半导体衬底,绝缘层,叉指电极层,第一PDDA薄膜层,还原氧化石墨烯薄膜层,第二PDDA薄膜层,分级结构ZnO‑PSS薄膜;制备方法主要包括叉指电极器件制备,制备传感器件所需膜层材料,采用层层自组装方法制备杂化分级结构传感器件。本发明的优点在于充分利用还原氧化石墨烯的大比表面积、低电子噪声、良好半导体性质和带负电的特点,结合分级结构氧化锌的结构特点,制备杂化分级结构敏感薄膜,工艺简单,重复性好,所制备的敏感器件可用于气体检测领域。

著录项

  • 公开/公告号CN104597082B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-02-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201510036987.7

  • 申请日2015-01-23

  • 分类号G01N27/00(20060101);

  • 代理机构11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人廖元秋

  • 地址 100084 北京市海淀区清华园1号

  • 入库时间 2022-08-23 09:52:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-02-22

    授权

    授权

  • 2015-05-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/00 申请日:20150123

    实质审查的生效

  • 2015-05-06

    公开

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