首页> 中国专利> 一种硫族量子点敏化氧化物半导体光阳极的制备方法

一种硫族量子点敏化氧化物半导体光阳极的制备方法

摘要

本发明涉及一种硫族量子点敏化氧化物半导体光阳极的制备方法,将水溶性的金属无机或有机盐任意的一种或几种,和硫源或硒源的一种或两种组合搭配溶于去离子水与低沸点醇混合溶剂中,形成清澈透明的前驱体溶液。将所制备得到的前驱体溶液以真空辅助吸附方式灌注于半导体氧化物薄膜光阳极中,随后真空干燥。然后利用水热蒸汽法对吸附前驱体的光阳极进行低温处理,使得对应的量子点得以在光阳极原位生成,获得的量子点敏化氧化物半导体光阳极具有量子点附载量高且分布均匀、制备工艺合理且可重复性较好的特点,因此具有广阔的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN104282440B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-02-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 景德镇陶瓷大学;

    申请/专利号CN201410521285.3

  • 申请日2014-10-08

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 333001 江西省景德镇市珠山区新厂陶阳南路27号

  • 入库时间 2022-08-23 09:52:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-02-15

    授权

    授权

  • 2017-01-04

    著录事项变更 IPC(主分类):H01L 31/18 变更前: 变更后: 申请日:20141008

    著录事项变更

  • 2015-02-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01G 9/04 申请日:20141008

    实质审查的生效

  • 2015-01-14

    公开

    公开

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