具有降低的边缘曲率特征的集成电路器件的制造方法

摘要

描述了一种诸如集成电路器件之类的结构，其包括具有临界尺寸的材料线，该临界尺寸在基本低于刻蚀所述线时使用的诸如构图的抗蚀剂元件之类的掩膜元件的分布内变化。描述了用于按照使线的刻蚀侧壁表面变直的方式来使用掩膜元件处理晶相材料线的技术，该晶相材料线已经使用掩膜元件进行刻蚀。变直的侧壁表面并不携带在形成掩膜元件和刻蚀线时涉及的光刻技术或其它构图工艺所引入的侧壁表面变化。