法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-02-08
授权
授权
2014-12-17
实质审查的生效 IPC(主分类):H03K 17/687 申请日:20140815
实质审查的生效
2014-11-19
公开
公开
机译: 用于通过使用累积电荷吸收-谐波褶皱减少来提高MOSFET线性度的方法和装置
机译: 用于通过使用累积电荷吸收-谐波褶皱减少来提高MOSFET线性度的方法和装置
机译: 用于通过累积电荷沉缩-波纹状皱纹减少来提高MOSFET线性度的方法和装置