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一种电阻转变随机存储器RRAM的选通电路及选通方法

摘要

本发明属于存储器技术领域,公开了一种电阻转变随机存储器RRAM的选通电路,包括:行译码器、列译码器、第一数据选择器以及第二数据选择器;所述第二数据选择器连接控制信号;所述控制信号包括:写使能信号和读使能信号,用于选择存储器的工作模式,即读出或者写入;所述第二数据选择器分别与所述第一数据选择器以及所述RRAM的外围电路相连,用于数据的读出或者写入;其中,所述行译码器接收外部行选通地址信号,进行地址译码,并发送给RRAM的存储阵列,选通一行存储单元;所述列译码器接收外部列选通地址信号,进行地址译码,并发送给所述第一数据选择器,选通多列存储单元。本发明通过同时选通多个存储单元,提升存储单元的读写速度。

著录项

  • 公开/公告号CN104051009B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-02-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201410281186.2

  • 发明设计人 张锋;

    申请日2014-06-20

  • 分类号G11C16/06(20060101);G11C16/26(20060101);G11C16/02(20060101);

  • 代理机构11302 北京华沛德权律师事务所;

  • 代理人刘杰

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2022-08-23 09:51:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-02-15

    授权

    授权

  • 2014-10-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/06 申请日:20140620

    实质审查的生效

  • 2014-09-17

    公开

    公开

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