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测试全入射角下材料二次电子发射系数的方法和装置

摘要

一种测试全入射角下材料二次电子发射系数的方法和装置,涉及物理电子学领域;方法包括:步骤1,将待测样品放入真空腔体内的样品台;收集部分为四分之一球壳的电子收集装置位于上半空间;步骤2,旋转样品台,使待测样品倾斜所需测试角度θ,测试电子收集装置上流过的电流I1;步骤3,旋转样品台,使待测样品沿相反的方向倾斜角度θ,测试电流I2;步骤4,保持待测样品不动,将电子收集装置旋转至下半空间,测试电流I3;步骤5,测试入射电子电流Ip;得出入射角度θ下的二次电子发射系数δ;本发明具有测试结果精确,操作简单易行的优势,以克服现有技术中全球型收集极操作困难、半球型收集极一部分电子无法收集,施加偏压法对测试结果产生影响等问题。

著录项

  • 公开/公告号CN104569014B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-01-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安空间无线电技术研究所;

    申请/专利号CN201410583366.6

  • 发明设计人 张娜;王瑞;崔万照;张洪太;

    申请日2014-10-27

  • 分类号G01N23/22(20060101);

  • 代理机构11009 中国航天科技专利中心;

  • 代理人安丽

  • 地址 710100 陕西省西安市长安区西街150号

  • 入库时间 2022-08-23 09:51:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-25

    授权

    授权

  • 2015-05-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 23/22 申请日:20141027

    实质审查的生效

  • 2015-04-29

    公开

    公开

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